好久没来写了。。。先自己呼两巴掌。。。
作为一名ICer需要了解的基础知识：
（1）NMOS：G为高时导通
（2）PMOS：G为低时导通
（3）CMOS由NMOS和PMOS构成，下图是一个由NMOS和PMOS构成的一个反相器：
A输入为1时，NMOS导通，输出Y为0（实际上是对输出端电容进行放电）；当A输入为0时，PMOS导通，输出Y为1（实际上是对输出端电容进行充电）。输入输出的延时实际上就是电容充放电过程造成的(RC电路)。
（4）电路延时因素：PVT（Process，Voltage，Temperature）
Process：制造参数漂移
Voltage：电压越高，延时越小
Temperature： PN结温度越高，延时越大
（5）电路延时低的情形
通过process加大MOS管电流；提升电压；降低温度，减少PN结延迟
（6）LVT/HVT/SVT
阈值电压越低，因为饱和电流变小，所以速度性能越高；但是因为漏电流会变大，因此功耗会变差。
速度大小按快到慢依次排列为SLVT, LVT, RVT, HVT。 功耗大小却正好相反。即HVT的cell其阈值电压最大其掺杂浓度越高，其泄露功耗最小；
对于NPN的晶体管是n型半导体，其导电是电子，P衬底多子是空穴，掺杂越高电子越少，越难以导电，阈值电压上升，泄露功耗变少。
对于PNP晶体管是P型半导体，其导电是空穴，N型衬底是电子，掺杂越高空穴越少，越难以导电。
（7）BC/WC/TC
做后仿时一般会用BC/WC/TC的SDF来做验证：
BC ：fast process， lowest temperature, high voltage，主要用来检测Hold（延时低）
WC：slow process, high temperature, lowest voltage，主要用来检测Setup（延时高）
TC：正常条件
（8）功耗分析：
ML：fast process, high temperature, high voltage
TL： typical process, high temperature, nominal voltage