指令 Flash内地址 擦除长度
nand erase 0x100000 0x200000
指令 内存中地址 Flash内地址 写入长度
nand write 0x20000000 0x100000 0x200000
nand read 0x20000000 0x100000 0x200000
关于nand flash的时序分析，http://blog.chinaunix.net/uid-20178794-id-4111272.html这篇文章写得不错
2、分析读nand flash操作的时序图
（1）时序图
（2）相关分析
（3）步骤归纳
- 发出片选信号，选中nand flash芯片
- 发出00h命令
- 发出5个地址序列，前两个对应的是列地址（对应一页中的某一列），后三个是行地址（对应的是某一页）
- 发出30h命令
- 等待nand flash准备好数据
- nand flash准备好数据后，从nand flash 中读取数据
- 取消片选信号，以确保进行其他与nand flash无关的操作影响到nand flash。
nand_read()函数的实
从nand flash的地址start_addr开始，读取数据大小为size的数据到buf指定的地址里。
void nand_read(unsigned char *buf, unsigned long start_addr, int size)
{
int i, j;
#ifdef LARGER_NAND_PAGE（由于此宏在源程序中有定义，因而走下面第一路径）
//因为nand flash每次读操作是以page为单位的，而一个page 是2048字节（不同nand flash的page大小不一定相同）
//一个数如果是2048的倍数，低11位必须是0.这里&是按位与的意思，也就是size和start_addr是16进制数，而NAND_BLOCK_MASK_LP是十进制，它们都会转换成二进制，进行按位与操作。这里定义NAND_BLOCK_MASK_LP为2047，也就是首位为0，后11位为1，与2048的二进制首位为1，后11位为0按位相与后为0.
if ((start_addr & NAND_BLOCK_MASK_LP) || (size & NAND_BLOCK_MASK_LP)) {
return ; /* 地址或长度不对齐 */
}
#else
if ((start_addr & NAND_BLOCK_MASK) || (size & NAND_BLOCK_MASK)) {
return ; /* 地址或长度不对齐 */
}
#endif
/* 选中芯片 */
nand_select_chip();
for(i=start_addr; i < (start_addr + size);) {
/*发出00h命令*/
write_cmd(0);
/* 发出5个周期的地址序列 */
write_addr(i);
#ifdef LARGER_NAND_PAGE（程序中有定义，因为要区分nand flash 的大小页构造）
/*发出30h命令*/
write_cmd(0x30);
#endif
/*发出空闲等待信号*/
wait_idle();
#ifdef LARGER_NAND_PAGE
/*开始读取数据*/
for(j=0; j < NAND_SECTOR_SIZE_LP; j++, i++) { //这里的NAND_SECTOR_SIZE_LP定义为2048
#else
for(j=0; j < NAND_SECTOR_SIZE; j++, i++) {
#endif
*buf = read_data();
buf++;
}
}
/*取消片选信号*/
nand_deselect_chip();
return ;
}