本文作为上一篇文章《 【冬瓜哥手绘】上/下页、快/慢页、MSB/LSB都些什么鬼？ 》的补充。由于上一篇文章冬瓜哥在写的时候比较急，有两个地方忘了补充，冬瓜哥早晨起来就总感觉缺了点什么，遂写了此文。冬瓜哥在本文中的知识体系得到了Ron@Memblaze同学的支持，以及赵登涛、Ray@Micron、Zac@Ramaxel的帮助。表示感谢！
1. MSB/LSB的全称是什么。冬瓜哥一般从不在文章中留任何坑或者让人看了迷茫的字眼，上篇文章中竟然忘了解释。MSB就是Most Significant Bit，LSB则是Last Significant Bit。这里的Significant并不是“最重要的，最关键的“意思，而是”有意义的，有效的“。某些场景下，比如某个寄存器为8位寄存器，但是程序没有这么多数据要放，用不了8位，只能用到6位，此时MSB就是5，LSB就是0了。对于MLC Cell来讲，2bit当然是用满的。
2. 对Upper Page和Lower Page写入数据的时候，必须按照顺序。这里面的各种顺序比较复杂，需要将每个场景进行一步步的推演。我们从最原始状态开始，也就是该Page所在的Block被擦除之后，该Page的该Cell处于E态，也就是上1下1的状态（关于E、D1、D2、D3态的定义请参考上篇文章）。
场景A：应用要对该cell承载的upper page中的该cell位（也就是MSB）写1。主控将该命令发送给Flash芯片之后，Flash芯片对该Cell不做任何动作，因为upper page本来就是1，所以该cell仍处于E态。但是主控端在元数据中会标明该page已经被写过，后续不能再被覆盖写入，除非擦掉。
场景B：应用要对该cell承载的upper page中的该cell位（也就是MSB）写0。主控从host端收到该IO之后，按照上图所示，应该是将该cell直接充电到D3态，上0下1。但是我们说过，如果直接到这个状态，就不能再回退了，也就是该cell所承载的lower page的该cell就不能再写成0了（不能退回到D2态，不能单bit放电）。所以，上一篇文章中也说过，此时主控必须改 [物理-逻辑] 映射表，让lower page先顶上，也就是说，主控其实会把该page该cell的LSB进行写0操作，也就是将cell充电到D1态。
场景C：该cell处于原始态，然后 用要对该cell承载的lower page中的该cell位（也就是LSB）写0。主控从host端收到该IO之后，按照上图所示，应该是将该cell直接充电到D1态，上1下0。
场景D：基于场景C的结果，也就是D1态，此后应用如果想将该cell的MSB写为1，则Flash无需动作，因为本来就是1。这里一定要成分理解一点： Flash颗粒内部的控制逻辑是根本不知道某个Cell当前处于什么状态的，主控让它写1，Flash并不知道是从哪个状态到哪个状态，但是写1是很特殊的场景，写1无需动作，默认就是1，不管当前是E态还是D1态 。 有人可能有疑问，如果当前是D2或者D3态，然后想把MSB写成1怎么办？答案是不可能出现这种情况。因为D2/D3态表明upper page之前已经被写过一遍了，主控不可能或者说必须不能在该page所在block没有被擦除之前再写一遍该page 。 不管是写了1还是写了0，每个page在再次被擦除之前只能被写一次，写1无需动作，写0就得充电。好，可以看到场景D的结果就是该cell在被下次擦除之前，将永远处于D1态，因为MSB和LSB都被写了，只不过LSB被写了0，MSB被写了1。
场景E： 基于场景C的结果，也就是D1态， 此后应用如果想将该cell的MSB写为0，那么Flash在收到主控发过来的命令之后，理论上应该是直接充电到D2态就对了。但是可以看到，D3态的MSB也是0，那么是否可以充电到D3态？绝对不能，因为LSB之前被写了0，如果充到D3态，则LSB之前所保存的数据就会丢失。是这么个道理，但是如果假设，之前该cell的LSB是被写了1的，当时Flash没有任何动作，默认就是1，仍然为E态，然后再将MSB写0，那么此时Flash应该对该cell充电到什么状态呢？那就必须充电到D3态了。也就是说， FLash芯片必须明确的知道“该cell的LSB在上一次被写入时是写的0还是1”这件事情，从而才能在后续的MSB写0过程中决定充电到D1还是D3态。 但是上文中提到过，Flash芯片并不知道该cell当前处于什么状态，也不知道该cell中的LSB之前是不是已经被写过了，如果被写过，写成了1还是写成了0，都不知道。 那怎么办呢？两个办法，要么就是主控需要告诉Flash芯片这个信息，要么就需要Flash根据当前cell所处的状态来判断该cell的LSB之前到底是被写了1还是0，也就是说，Flash先将该Cell的电压值读出（按照前一篇文章中的二分法），判断，然后再充电到该有的状态。这里我们就总结一下这个过程的判断逻辑：
可以看到，对MSB写0时，Flash产生了写惩罚，需要先读出当前的状态。而对LSB写0则不会出现这种情况。有人会问：D1和D2态的LSB也都是0，如果对LSB写0，Flash如何判断充电到D1还是D2？答案是只能充电到D1，因为大家事先已经约定好了，擦除之后，主控必须先对LSB写0。擦除之后，如果先对MSB写了1，仍然处于E态，再对LSB写0则过渡到D1态；擦除后，对LSB写1，则主控不可能或者必须不能再对其写0，因为每个page只能写一遍；擦除后，对LSB写0，也是过渡到D1态，所以上述三种组合的结果都是D1态，那么就无需判断了，只要收到让LSB写0的指令，直接到D1，并没有写惩罚。
那么能否让主控在发送IO指令时直接告诉flash这些信息，从而避免多读一次？不现实，如果为每个cell增加状态描述，会极大扩充所需传输的数据量。另外，根据Ron@Memblaze同学的观点，多读这一次不算什么，真正慢是慢在对cell充电的过程并不是一步到位的，而是分多次充电，一次充一点，小步进。这样做的原因是因为一旦过充就无法回头，为了降低过充的几率，才采取这种小电压步进充电。
综上所述，MSB读快，写慢；LSB读慢写快。所以，块页和慢页还得具体分读写场景来看。
